GB/T 4937.1-2006 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法 第1部分：總則
GB/T 4937.19-2018 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法 第19部分：芯片剪切強(qiáng)度
IEC 60749-19：2010半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法 第 19部分： 芯片剪切強(qiáng)度

半導(dǎo)體器件芯片剪切強(qiáng)度試驗?zāi)康氖谴_定將半導(dǎo)體芯片安裝在管座或其他基板上所使用的材料和工藝步驟的完整性，適用于空腔封裝，也可作為過程監(jiān)測，不適用于面積大于10 mm2的芯片，以及倒裝芯片和易彎曲基板。
健明迪檢測環(huán)境可靠性實驗中心擁有各種半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗設(shè)備，具備芯片剪切強(qiáng)度試驗?zāi)芰?，為半?dǎo)體器件、設(shè)備提供專業(yè)的芯片剪切強(qiáng)度試驗服務(wù)。

健明迪檢測環(huán)境可靠性實驗中心擁有各種半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗設(shè)備，具備芯片剪切強(qiáng)度試驗?zāi)芰?，為半?dǎo)體器件、設(shè)備提供專業(yè)的芯片剪切強(qiáng)度試驗服務(wù)。

采用規(guī)定設(shè)備，對芯片施加足以使其從安裝面上剪切下來的應(yīng)力或?qū)π酒┘右?guī)定的最低剪切強(qiáng)度兩倍的應(yīng)力，取較小者。
脫離類別如下：
a）芯片被剪切時仍殘留芯片材料；
b）芯片與附著材料脫離；
c） 芯片與芯片附著材料從管座脫離。